规格:最大功率耗散 1.75 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
ON Semiconductor NSS30201MR6T1G , NPN 晶体管, 2 A, Vce=30 V, HFE:200, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 1.75 W,
制造商零件编号:
NSS30201MR6T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-1775
搜索
ON Semiconductor NSVT489AMT1G , NPN 晶体管, 2 A, Vce=30 V, HFE:300, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 1.75 W,
制造商零件编号:
NSVT489AMT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-2983
搜索
ON Semiconductor MJD45H11T4G , PNP 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 90 MHz, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 1.75 W,
制造商零件编号:
MJD45H11T4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
102-1371
搜索
ON Semiconductor MJD45H11T4G , PNP 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 90 MHz, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 1.75 W,
制造商零件编号:
MJD45H11T4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
463-622
搜索
ON Semiconductor MJD44H11G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 85 MHz, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 1.75 W,
制造商零件编号:
MJD44H11G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
464-142
搜索
ON Semiconductor MJD45H11G , PNP 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 90 MHz, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 1.75 W,
制造商零件编号:
MJD45H11G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
545-0258
搜索
Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN40LN,135, 5.4 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 1.75 W,
制造商零件编号:
PMN40LN,135
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8411
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG6402LVT-7, 7.5 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOT-26封装
规格:最大功率耗散 1.75 W,
制造商零件编号:
DMG6402LVT-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0525
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NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMN34UN,135, 4.9 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 1.75 W,
制造商零件编号:
PMN34UN,135
品牌:
NXP
库存编号:
725-8414
查看其他仓库
Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN45EN,135, 5.2 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 1.75 W,
制造商零件编号:
PMN45EN,135
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8420
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Nexperia N沟道 Si MOSFET PMN28UN,135, 5.7 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 1.75 W,
制造商零件编号:
PMN28UN,135
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8405
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN38EN,135, 5.4 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 1.75 W,
制造商零件编号:
PMN38EN,135
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8417
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