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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD105N04L G, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IPD105N04L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5468
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD40N03S4L-08, 40 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IPD40N03S4L-08
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4596
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB08P06P G, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  SPB08P06P G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2201
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI4510GPBF, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IRFI4510GPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5084
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06P, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  SPD08P06P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  462-3247
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD09P06PLG, 9.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  SPD09P06PLG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9074
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPU80R2K8CEBKMA1, 1.9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-251封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IPU80R2K8CEBKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7104
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP02N80C3, 2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  SPP02N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2298
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  SPA17N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3153
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06P G, 8.83 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  SPD08P06P G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3188
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IPP096N03L G, 35 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IPP096N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5493
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPP08P06P H, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  SPP08P06P H
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8279
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS090N03LG, 40 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IPS090N03LG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7053
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S4L-09, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IPD30N03S4L-09
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9522
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA028N08N3 G, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IPA028N08N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7315
  
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