规格:最大功率耗散 1.1 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Nexperia PXT2907A,115 , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 3引脚 SOT-89封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
PXT2907A,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8574
搜索
Nexperia PBSS4041NT , NPN 晶体管, 3.8 A, Vce=60 V, HFE:30, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
PBSS4041NT
品牌:
Nexperia
库存编号:
801-5619
搜索
Nexperia PXT4401 , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:20, 100 MHz, 3引脚 SOT-89封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
PXT4401
品牌:
Nexperia
库存编号:
801-5690
搜索
Nexperia PBSS4041PT , PNP 晶体管, 2.7 A, Vce=60 V, HFE:200, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
PBSS4041PT
品牌:
Nexperia
库存编号:
781-6776
搜索
ON Semiconductor CPH6531-TL-E, 双 PNP 晶体管, 1 A, Vce=50 V, HFE:200, 420 MHz, 6引脚 CPH封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
CPH6531-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
801-0011
搜索
Nexperia PBSS4021NT , NPN 晶体管, 4.3 A, Vce=20 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
PBSS4021NT
品牌:
Nexperia
库存编号:
801-5596
搜索
Nexperia PXT2222A,115 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=40 V, HFE:35, 3引脚 SOT-89封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
PXT2222A,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8571
搜索
Nexperia BF622 , NPN 晶体管, 50 mA, Vce=250 V, HFE:50, 100 MHz, 3引脚 SOT-89封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
BF622
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-7794
搜索
DiodesZetex APT13003HZTR-G1 , NPN 双极晶体管, 1.5 A, Vce=800 V, HFE:5, 4(最低)MHz, 3引脚 TO-92封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
APT13003HZTR-G1
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
828-3326
搜索
Nexperia BF621 , PNP 晶体管, 50 mA, Vce=300 V, HFE:50, 100 MHz, 3引脚 SOT-89封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
BF621
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-7791
搜索
Nexperia BF623 , PNP 晶体管, 50 mA, Vce=250 V, HFE:50, 100 MHz, 3引脚 SOT-89封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
BF623
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-7798
搜索
DiodesZetex APT13003EZTR-G1 , NPN 高压双极晶体管, 1.5 A, Vce=700 V, HFE:5, 4(最低)MHz, 3引脚 TO-92封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
APT13003EZTR-G1
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
828-3341
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DiodesZetex ZXTN25012EZTA , PNP 晶体管, 6.5 A, Vce=12 V, HFE:30, 100 MHz, 3引脚 SOT-89封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
ZXTN25012EZTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
885-5681
查看其他仓库
Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI9934BDY-T1-E3, 4.8 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
SI9934BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3399
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZVP4525E6TA, 200 mA, Vds=250 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
ZVP4525E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-5275
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXM64P03XTA, 3.8 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
ZXM64P03XTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-5326
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ON Semiconductor N/P沟道 MOSFET 晶体管 NTGD4167CT1G, 2.2 A,2.9 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
NTGD4167CT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0560
搜索
DiodesZetex ZXGD3006E6TA, 双 晶体管, 6引脚 SOT-26封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
ZXGD3006E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-1867
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Maxim DG506ACJ+ 多路复用器, 单 16:1, 28引脚 PDIP封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
DG506ACJ+
品牌:
Maxim
库存编号:
797-9290
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Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI4511DY-T1-GE3, 3.7 A,7.2 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
SI4511DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3221
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DiodesZetex 双 N/P沟道 Si MOSFET DMC2038LVT-7, 2.1 A,5.2 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOT-26封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
DMC2038LVT-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2508
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Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUFA75307T3ST, 2.6 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
HUFA75307T3ST
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-9328
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3067LW-7, 2.6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
DMN3067LW-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1094
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Maxim MAX337CPI+ 多路复用器, 双 8:1, 5 V,9 V,12 V,15 V,18 V,24 V,28 V电源, 28引脚 PDIP封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
MAX337CPI+
品牌:
Maxim
库存编号:
333-284
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Maxim MAX328CWE+ 多路复用器, 单 8:1, 16引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 1.1 W,
制造商零件编号:
MAX328CWE+
品牌:
Maxim
库存编号:
798-4958
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