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• Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCA36N60NF, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大功率耗散 312 W,
• 制造商零件编号：
  FCA36N60NF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1233
  
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• Fairchild Semiconductor FGA25N120ANTDTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大功率耗散 312 W,
• 制造商零件编号：
  FGA25N120ANTDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9222
  
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• Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCB36N60NTM, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大功率耗散 312 W,
• 制造商零件编号：
  FCB36N60NTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8914
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCP36N60N, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大功率耗散 312 W,
• 制造商零件编号：
  FCP36N60N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8917
  
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• Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCB36N60NTM, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大功率耗散 312 W,
• 制造商零件编号：
  FCB36N60NTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4803
  
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