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• Infineon SMBTA42 , NPN 高压双极晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:40, 70 MHz, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  SMBTA42
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8276
  
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• Infineon SMBTA42 , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:25, 70 MHz, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  SMBTA42
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  287-487
  
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• Infineon SMBTA92 , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:25, 50 MHz, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  SMBTA92
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  287-493
  
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• Infineon BFN 27 , PNP 晶体管, 200 mA, Vce=300 V, HFE:25, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BFN 27
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8120
  
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• Infineon BCV26E6327 PNP 达林顿晶体管, 500 mA, Vce=30 V, HFE=20000, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BCV26E6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0008
  
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• Infineon BCV 46 PNP 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=60 V, HFE=2000, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BCV 46
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8072
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS169, 170 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS169
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2844
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSS84P, 170 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS84P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2217
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS159N, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS159N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2841
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSS83P, 330 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS83P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2857
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET SN7002N, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  SN7002N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3134
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS159N, 130 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS159N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8254
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS138NH6327, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS138NH6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9954
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS7728NH6327, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS7728NH6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0036
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSS84PH6433XTMA1, 170 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS84PH6433XTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9266
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS138NH6433XTMA1, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS138NH6433XTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9285
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS131H6327XT, 110 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS131H6327XT
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0070
  
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• Infineon BFN 24 E6327 , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=250 V, HFE:25, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BFN 24 E6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7097
  
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• Infineon BFN 26 , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=300 V, HFE:30, 70 MHz, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BFN 26
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2771
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS139 H6327, 100 mA, Vds=250 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS139 H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-5770
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS670S2LH6327XT, 540 mA, Vds=55 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS670S2LH6327XT
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0027
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS169, 90 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS169
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5243
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSS84P, 170 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS84P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  653-2288
  
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