以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Nexperia PMBT3904VS, 双 NPN 晶体管, 200 mA, Vce=40 V, HFE:30, 100 MHz, 6引脚 SOT-666封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  PMBT3904VS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  801-5671
  
• 
  搜索

• Infineon SMBTA42 , NPN 高压双极晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:40, 70 MHz, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  SMBTA42
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8276
  
• 
  搜索

• Infineon SMBTA42 , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:25, 70 MHz, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  SMBTA42
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  287-487
  
• 
  搜索

• Infineon SMBTA92 , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:25, 50 MHz, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  SMBTA92
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  287-493
  
• 
  搜索

• Magnatec BC478 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=40 V, HFE:110, 150 MHz, 3引脚 TO-18封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BC478
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  293-612
  
• 
  搜索

• Infineon BFN 27 , PNP 晶体管, 200 mA, Vce=300 V, HFE:25, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BFN 27
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8120
  
• 
  搜索

• Infineon BCV26E6327 PNP 达林顿晶体管, 500 mA, Vce=30 V, HFE=20000, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BCV26E6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0008
  
• 
  搜索

• Infineon BCV 46 PNP 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=60 V, HFE=2000, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BCV 46
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8072
  
• 
  搜索

• Infineon BCV47E6433 NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=60 V, HFE=2000, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BCV47E6433
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  857-8374
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET BSS84, 130 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS84
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0328
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS169, 170 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS169
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2844
  
• 
  搜索

• Microchip N沟道 MOSFET 晶体管 LND150K1-G, 13 mA, Vds=500 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  LND150K1-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  829-3415
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSS84P, 170 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS84P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2217
  
• 
  搜索

• Microchip N沟道 Si MOSFET LND01K1-G, 330 mA, Vds=9 V, 5引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  LND01K1-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  912-5259
  
• 
  搜索

• Nexperia PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET BSS123, 170 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS123
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  671-0321
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDG8850NZ, 750 mA, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  FDG8850NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0362
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET FDG8842CZ, 410 mA，750 mA, Vds=25 V，30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  FDG8842CZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0368
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS0605, 180 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  NDS0605
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1071
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS159N, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS159N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2841
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSS83P, 330 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS83P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2857
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET SN7002N, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  SN7002N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3134
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS159N, 130 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS159N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8254
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS138NH6327, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS138NH6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9954
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS7728NH6327, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS7728NH6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0036
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS0610, 120 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大功率耗散 360 mW,
• 制造商零件编号：
  NDS0610
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1074
  
• 
  搜索