以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon IRG4PSC71UPBF N沟道 IGBT, 85 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-274AA封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4PSC71UPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0316
  
• 
  搜索

• Infineon IRG4PSC71KDPBF N沟道 IGBT, 85 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AA封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4PSC71KDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0956
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon IRG4PSH71KDPBF N沟道 IGBT, 78 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AA封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4PSH71KDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0965
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon IRG8P50N120KDPBF N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRG8P50N120KDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3400
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon IRG8P50N120KD-EPBF N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRG8P50N120KD-EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4858
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFSL4321PBF, 85 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRFSL4321PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4123
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4321PBF, 85 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB4321PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-568
  
• 
  搜索

• Infineon FS75R12KE3 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 105 A, Vce=1200 V, 28引脚 EconoPACK 2封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  FS75R12KE3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8328
  
• 
  搜索

• Infineon IRG4PSC71KPBF N沟道 IGBT, 85 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-274AA封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4PSC71KPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3253
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon IRG4PSH71UDPBF N沟道 IGBT, 99 A, Vce=1200 V, 200kHz, 3引脚 TO-274AA封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4PSH71UDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3262
  
• 
  查看其他仓库