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• Infineon IRG4PSC71UPBF N沟道 IGBT, 85 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-274AA封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4PSC71UPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0316
  
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• Infineon IRG4PSC71KDPBF N沟道 IGBT, 85 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AA封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4PSC71KDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0956
  
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• Infineon IRG4PSH71KDPBF N沟道 IGBT, 78 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AA封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4PSH71KDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0965
  
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• Infineon IRG8P50N120KDPBF N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRG8P50N120KDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3400
  
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• IXYS IXA70I1200NA N沟道 IGBT, 100 A, Vce=1200 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IXA70I1200NA
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7625
  
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• Infineon IRG8P50N120KD-EPBF N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRG8P50N120KD-EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4858
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXTP62N15P, 62 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IXTP62N15P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-316
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW13NK100Z, 13 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  STW13NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1573
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFSL4321PBF, 85 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRFSL4321PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4123
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N60M2-4, 52 A, Vds=650 V, 4引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  STW56N60M2-4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5724
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4321PBF, 85 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB4321PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-568
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW55NM60ND, 51 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  STW55NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1993
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW13NK100Z, 13 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  STW13NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5248
  
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• NXP BZB784-C5V6 2路 共阳极 齐纳二极管, 5.6V 5% 350 W, 3引脚 SOT-323封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  BZB784-C5V6
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  816-7845
  
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• Infineon FS75R12KE3 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 105 A, Vce=1200 V, 28引脚 EconoPACK 2封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  FS75R12KE3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8328
  
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• Infineon IRG4PSC71KPBF N沟道 IGBT, 85 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-274AA封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4PSC71KPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3253
  
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• Infineon IRG4PSH71UDPBF N沟道 IGBT, 99 A, Vce=1200 V, 200kHz, 3引脚 TO-274AA封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4PSH71UDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3262
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW15NK90Z, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  STW15NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5257
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW55NM60ND, 51 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  STW55NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0336
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N60M2, 52 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  STW56N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5720
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW15NK90Z, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 350 W,
• 制造商零件编号：
  STW15NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6620
  
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