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• Taiwan Semiconductor TSC5304EDCH C5G , NPN 晶体管, 4 A, Vce=400 V, HFE:10, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  TSC5304EDCH C5G
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  900-9021
  
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• Taiwan Semiconductor TSC5304EDCP ROG , NPN 晶体管, 4 A, Vce=400 V, HFE:10, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  TSC5304EDCP ROG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  901-4086
  
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• Taiwan Semiconductor TSC5304EDCP ROG , NPN 晶体管, 4 A, Vce=400 V, HFE:10, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  TSC5304EDCP ROG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  901-4077
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPA90R340C3, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  IPA90R340C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-9088
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF11NM80, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  STF11NM80
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5239
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03MS G, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  BSC080N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5288
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ105N04NS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ105N04NS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5361
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ097N04LS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ097N04LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5367
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFR120Z, 8.7 A, Vds=100 V, 3引脚 D-PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR120Z
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  760-4309
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NK60ZFP, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  STP13NK60ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9998
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF28NM50N, 21 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  STF28NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2802
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK42A12N1,S4X(S, 88 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  TK42A12N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5148
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2SK3745LS-1E, 2 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  2SK3745LS-1E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0728
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK34A10N1,S4X(S, 34 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  TK34A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6195
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC3612, 16 A, Vds=100 V, 8引脚 MLP封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  FDMC3612
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4891
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP12NM50FP, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  STP12NM50FP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6686
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK60ZFP, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  STP10NK60ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8723
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF26NM60N, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  STF26NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2000
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC30GPBF, 2.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  IRFIBC30GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1382
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP14NK50ZFP, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  STP14NK50ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5333
  
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• Semelab 双 N沟道 MOSFET 晶体管 D2203UK, 2 A, Vds=40 V, 5引脚 DQ封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  D2203UK
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  738-7749
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STF7N95K3, 7.2 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  STF7N95K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0487
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF32N65M5, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  STF32N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2811
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STF13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  STF13N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9311
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK40A10N1,S4X(S, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大功率耗散 35 W,
• 制造商零件编号：
  TK40A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5141
  
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