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• Fairchild Semiconductor FGH40N60SMDF N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AB封装
  
  规格：最大功率耗散 349 W,
• 制造商零件编号：
  FGH40N60SMDF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4942
  
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• Fairchild Semiconductor FGH40N60SMD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 349 W,
• 制造商零件编号：
  FGH40N60SMD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9279
  
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• Fairchild Semiconductor FGH40N60SMD_F085 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 349 W,
• 制造商零件编号：
  FGH40N60SMD_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8852
  
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• Fairchild Semiconductor FGA40N65SMD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 349 W,
• 制造商零件编号：
  FGA40N65SMD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8782
  
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• Fairchild Semiconductor FGB40N60SM N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 349 W,
• 制造商零件编号：
  FGB40N60SM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8811
  
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• Infineon IHW30N135R3 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1350 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 349 W,
• 制造商零件编号：
  IHW30N135R3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7449
  
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• Infineon IKW25N120T2 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 349 W,
• 制造商零件编号：
  IKW25N120T2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7403
  
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