规格:最大功率耗散 330 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon IRGP4063D1-EPBF N沟道 IGBT, 100 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRGP4063D1-EPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9013
搜索
Infineon IRGP4063-EPBF N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRGP4063-EPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9026
搜索
Infineon AUIRGP4063D-E N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
AUIRGP4063D-E
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9348
搜索
Infineon IRGP6660DPBF N沟道 IGBT, 95 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRGP6660DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4259
查看其他仓库
Infineon IRGP6660DPBF N沟道 IGBT, 95 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRGP6660DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3466
查看其他仓库
Infineon IRGP4068DPBF N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRGP4068DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7596
搜索
Infineon IRGP4068D-EPBF N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRGP4068D-EPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9032
搜索
Infineon AUIRGP4063D N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
AUIRGP4063D
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9344
查看其他仓库
Infineon IRGP4063PBF N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRGP4063PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7593
查看其他仓库
Infineon IRGP4068D-EPBF N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRGP4068D-EPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4742
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4229PBF, 45 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRFS4229PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-883
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405PBF, 169 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRF1405PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1099
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4228PBF, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRFB4228PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6948
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804PBF, 280 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRF2804PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5558
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW69N65M5, 58 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
STW69N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3021
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3713PBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRL3713PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3293
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2805PBF, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRF2805PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8687
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRFB4227PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3932
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRFP4227PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3972
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Wolfspeed SiC N沟道 MOSFET C2M0040120D, 60 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
C2M0040120D
品牌:
Wolfspeed
库存编号:
923-0711
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4227PBF, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRFS4227PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4384
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRFP4227PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4772
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804LPBF, 75 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
IRF2804LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8787
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3808, 140 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
AUIRF3808
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1796
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STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STP160N75F3, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 330 W,
制造商零件编号:
STP160N75F3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
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