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• Infineon BSM150GB60DLC N通道 IGBT 模块, 串行, 180 A, Vce=600 V, 7引脚 34MM 模块封装
  
  规格：最大功率耗散 595 W,
• 制造商零件编号：
  BSM150GB60DLC
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-7005
  
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• Infineon IRGPS60B120KDP N沟道 IGBT, 105 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-274AA封装
  
  规格：最大功率耗散 595 W,
• 制造商零件编号：
  IRGPS60B120KDP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0313
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH041N65F_F155, 76 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 595 W,
• 制造商零件编号：
  FCH041N65F_F155
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1261
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH041N60F, 76 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 595 W,
• 制造商零件编号：
  FCH041N60F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1268
  
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• IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTN102N65X2, 76 A, Vds=650 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  规格：最大功率耗散 595 W,
• 制造商零件编号：
  IXTN102N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1454
  
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• Infineon IRGPS40B120UDP N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-274AA封装
  
  规格：最大功率耗散 595 W,
• 制造商零件编号：
  IRGPS40B120UDP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3287
  
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• Infineon IRGPS60B120KDP N沟道 IGBT, 105 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-274AA封装
  
  规格：最大功率耗散 595 W,
• 制造商零件编号：
  IRGPS60B120KDP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8693
  
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• DAWIN Electronics DM2G150SH6N N通道 IGBT 模块, 串行, 175 A, Vce=600 V, 7引脚 7DM-2封装
  
  规格：最大功率耗散 595 W,
• 制造商零件编号：
  DM2G150SH6N
  品牌：
  DAWIN Electronics
  库存编号：
  742-3289
  
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