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• STMicroelectronics STGIPS20K60 N通道 智能功率模块, 3 相, 18 A, Vce=600 V, 25引脚 SDIP封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  STGIPS20K60
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  877-2895
  
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• Infineon IRGIB15B60KD1P N沟道 IGBT, 19 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  IRGIB15B60KD1P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3271
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5865NLT4G, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  NTD5865NLT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2894
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5865N-1G, 38 A, Vds=60 V, 4引脚 IPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  NTD5865N-1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2897
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCU900N60Z, 4.5 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  FCU900N60Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1124
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI7615ADN-T1-GE3, 35 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  SI7615ADN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9248
  
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• Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS890DN-T1-GE3, 30 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  SIS890DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9395
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIS892ADN-T1-GE3, 28 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  SIS892ADN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9399
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC7582, 17 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  FDMC7582
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3494
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDD306P, 6.7 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  FDD306P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9065
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP3P20, 1.8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  FQP3P20
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5875
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIS430DN-T1-GE3, 21 A, Vds=25 V, 8引脚 PowePAK 1212封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  SIS430DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1308
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STL13N65M2, 6.5 A, Vds=650 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  STL13N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5679
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STL12N60M2, 6.5 A, Vds=600 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  STL12N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2849
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5865NLT4G, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  NTD5865NLT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-5086
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SISA04DN-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  SISA04DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9307
  
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• Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS468DN-T1-GE3, 30 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  SIS468DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9383
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS476DN-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  SIS476DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9392
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL15N65M5, 10 A, Vds=650 V, 8引脚 Power Flat封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  STL15N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5880
  
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• STMicroelectronics STGFW20V60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  STGFW20V60DF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9355
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF7N65C, 7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  FQPF7N65C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5301
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC7572S, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  FDMC7572S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6276
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDD6685, 11 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  FDD6685
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0916
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIS330DN-T1-GE3, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 PowePAK 1212封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  SIS330DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1301
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIS415DNT-T1-GE3, 22 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大功率耗散 52 W,
• 制造商零件编号：
  SIS415DNT-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1304
  
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