品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon IRGP30B120KD-EP N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AD封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IRGP30B120KD-EP
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0319
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Infineon IRGP20B120U-EP N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IRGP20B120U-EP
品牌:
Infineon
库存编号:
907-4849
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Infineon IRGP30B120KD-EP N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AD封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IRGP30B120KD-EP
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4708
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Infineon IRGP4263-EPBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IRGP4263-EPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9035
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Infineon TEMPFET 系列 Si N沟道 MOSFET BTS282Z E3180A, 80 A, Vds=49 V, 7针+焊片 PG-TO-263-7-1封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
BTS282Z E3180A
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7112
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4310PBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IRFB4310PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4744
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2804S, 270 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
AUIRF2804S
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7734
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB072N15N3 G, 100 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPB072N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8340
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2907ZPBF, 160 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IRF2907ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0278
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB100N10S3-05, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPB100N10S3-05
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5649
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB027N10N3G, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPB027N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9235
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S2-05, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPP80N06S2-05
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8948
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB38N20DPBF, 43 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IRFB38N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3944
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPI100N10S3-05, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPI100N10S3-05
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4641
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S2L-05, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPI80N06S2L-05
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6772
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N08S2-07, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPI80N08S2-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6782
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N08S2-07, 100 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPP100N08S2-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6861
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R450E6, 9.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPA60R450E6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8605
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3805PBF, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IRF3805PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5756
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFBA1404PPBF, 206 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-273AA封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IRFBA1404PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5819
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP041N12N3 G, 120 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPP041N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7311
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP028N08N3 G, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPP028N08N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7346
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB200N25N3 G, 64 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPB200N25N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
898-6870
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Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPB010N06N, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPB010N06N
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4353
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N20NFD, 84 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPP120N20NFD
品牌:
Infineon
库存编号:
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