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• Magnatec BUP53 , NPN 双极晶体管, 60 A, Vce=250 V, HFE:5, 3引脚 TO-3封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  BUP53
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  655-925
  
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• Magnatec BUP52 , NPN 双极晶体管, 70 A, Vce=200 V, HFE:8, 3引脚 TO-3封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  BUP52
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  655-919
  
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• Semelab MG9411-R , PNP 晶体管, 18 A, Vce=260 V, HFE:70, 35 MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  MG9411-R
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  737-8883
  
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• VMMK-1218-BLKG RF 放大器, 100 mA 5 V, 3针 表面安装封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  VMMK-1218-BLKG
  品牌：
  Broadcom
  库存编号：
  716-0610
  
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• ON Semiconductor MJ11033G PNP 达林顿晶体管对, 50 A, Vce=120 V, HFE=400, 2引脚 TO-204封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  MJ11033G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-3202
  
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• Infineon IRGP30B120KD-EP N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AD封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP30B120KD-EP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0319
  
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• IXYS IXGH48N60B3 N沟道 IGBT, 280 A, Vce=600 V, 40kHz, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  IXGH48N60B3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  791-7416
  
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• Fairchild Semiconductor ISL9V5045S3ST N沟道 IGBT, 51 A, Vce=505 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  ISL9V5045S3ST
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9365
  
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• Fairchild Semiconductor FGA30N65SMD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  FGA30N65SMD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8770
  
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• Fairchild Semiconductor FGA50S110P N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1100 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  FGA50S110P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8786
  
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• ON Semiconductor NGTG35N65FL2WG N沟道 IGBT, 70 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  NGTG35N65FL2WG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  900-8817
  
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• Infineon IRGP20B120U-EP N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP20B120U-EP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4849
  
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• Infineon IRGP30B120KD-EP N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AD封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP30B120KD-EP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4708
  
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• Infineon IRGP4263-EPBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP4263-EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9035
  
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• Infineon IRGP4263PBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP4263PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  784-9039
  
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• ON Semiconductor NGTB35N65FL2WG N沟道 IGBT, 70 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB35N65FL2WG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  842-7898
  
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• Fuji Electric 7MBR75VB-060-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 75 A, Vce=600 V, 24引脚 M712封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  7MBR75VB-060-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  110-9131
  
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• Fairchild Semiconductor ISL9V5045S3ST_F085 N沟道 IGBT, 51 A, Vce=505 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  ISL9V5045S3ST_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9369
  
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• ON Semiconductor NGTB45N60S1WG N沟道 IGBT, 90 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB45N60S1WG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  882-9821
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP36N30P, 36 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  IXTP36N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-622
  
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• Infineon TEMPFET 系列 Si N沟道 MOSFET BTS282Z E3180A, 80 A, Vds=49 V, 7针+焊片 PG-TO-263-7-1封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  BTS282Z E3180A
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7112
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 P沟道 Si MOSFET STP80PF55, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  STP80PF55
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7901
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4310PBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB4310PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4744
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB8441, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  FDB8441
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0343
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB80NF10T4, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  STB80NF10T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5080
  
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