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• ON Semiconductor 2N4920G , PNP 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:10, 1 MHz, 3引脚 TO-225封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  2N4920G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-3408
  
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• STMicroelectronics TIP29A , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:15, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  TIP29A
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-8808
  
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• Fairchild Semiconductor KSE13003TH1ATU , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=400 V, HFE:5, 0.1 MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  KSE13003TH1ATU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-7180
  
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• Fairchild Semiconductor FJPF3305H1TU , NPN 晶体管, 4 A, Vce=400 V, HFE:8, 4 MHz, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  FJPF3305H1TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0903
  
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• Fairchild Semiconductor BD239BTU , NPN 晶体管, 2 A, Vce=90 V, HFE:15, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  BD239BTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5150
  
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• Taiwan Semiconductor TSC5303DCH C5G , NPN 晶体管, 3 A, Vce=700 V, HFE:5, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  TSC5303DCH C5G
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  900-9019
  
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• ON Semiconductor 2N4923G , NPN 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:10, 3 MHz, 3引脚 TO-225封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  2N4923G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  544-9933
  
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• ON Semiconductor BD180G , PNP 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:15, 3 MHz, 3引脚 TO-225封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  BD180G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  545-0062
  
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• Fairchild Semiconductor KSD526YTU , NPN 晶体管, 4 A, Vce=80 V, HFE:15, 1 MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  KSD526YTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-4554
  
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• ON Semiconductor 2N4921G , NPN 双极晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:10, 1 MHz, 3引脚 TO-225封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  2N4921G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-3417
  
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• ON Semiconductor TIP30CG , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:15, 1 MHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  TIP30CG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-3678
  
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• Fairchild Semiconductor BD17610STU , PNP 晶体管, 3 A, Vce=45 V, HFE:15, 3 MHz, 3引脚 TO-126封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  BD17610STU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5153
  
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• Fairchild Semiconductor BD239CTU , NPN 晶体管, 2 A, Vce=115 V, HFE:15, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  BD239CTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5169
  
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• Fairchild Semiconductor TIP29CTU , NPN 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:15, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  TIP29CTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-0524
  
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• Toshiba GT15J341 N沟道 IGBT, 15 A, Vce=600 V, 100kHz, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  GT15J341
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5046
  
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• STMicroelectronics STGF10H60DF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  STGF10H60DF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7126
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP6NK90ZFP, 5.8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  STP6NK90ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1575
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP6NK90ZFP, 5.8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  STP6NK90ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5336
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC20GPBF, 1.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  IRFIBC20GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4783
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP7NK80ZFP, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  STP7NK80ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  714-1085
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7665S2TR1PBF, 14.4 A, Vds=100 V, 4引脚 DirectFET SB封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7665S2TR1PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  716-5381
  
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• Semelab Si N沟道 MOSFET D5011UK, 3 A, Vds=125 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  D5011UK
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  738-7773
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF5N50NZ, 4.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  FDPF5N50NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4885
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8334TR2PBF, 44 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH8334TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  760-4387
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP8NK80ZFP, 6.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 30 W,
• 制造商零件编号：
  STP8NK80ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0190
  
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