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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 300000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFB3206PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-574
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310PBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 300000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFS4310PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4889
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF2907ZLPBF, 170 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 300000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRF2907ZLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8816
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2907ZS-7PPBF, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 300000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRF2907ZS-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8844
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1324PBF, 353 A, Vds=24 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 300000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRF1324PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6807
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF1324S-7P, 429 A, Vds=24 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 300000 mW,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1324S-7P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9224
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3805S-7PPBF, 240 A, Vds=55 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 300000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRF3805S-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-663
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1324, 353 A, Vds=24 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 300000 mW,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1324
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9212
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 300000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFS3206PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-552
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1324S-7PPBF, 429 A, Vds=24 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 300000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRF1324S-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6816
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3207ZPBF, 170 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 300000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFB3207ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6917
  
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