品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 3.7 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z34SPBF, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 3.7 W,
制造商零件编号:
IRF9Z34SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
301-221
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF510SPBF, 5.6 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 3.7 W,
制造商零件编号:
IRF510SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-1645
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI4946BEY-T1-E3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 3.7 W,
制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4755
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM110N06-3M4L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 3.7 W,
制造商零件编号:
SUM110N06-3M4L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-5010
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9510SPBF, 4 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 3.7 W,
制造商零件编号:
IRF9510SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4126
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF540SPBF, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 3.7 W,
制造商零件编号:
IRF540SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4737
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4946BEY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 3.7 W,
制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9027
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF540SPBF, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 3.7 W,
制造商零件编号:
IRF540SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
918-9852
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4946BEY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 3.7 W,
制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4195
查看其他仓库
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI4946BEY-T1-E3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 3.7 W,
制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5655
搜索
Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SI4946BEY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 3.7 W,
制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5889
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4202DY-T1-GE3, 12.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 3.7 W,
制造商零件编号:
SI4202DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3218
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI4946BEY-T1-E3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最大功率耗散 3.7 W,
制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0837
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