规格:最大功率耗散 280 mW,
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Infineon BFR92PE6327 , NPN 晶体管, 45 mA, Vce=15 V, HFE:70, 5000 MHz, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大功率耗散 280 mW,
制造商零件编号:
BFR92PE6327
品牌:
Infineon
库存编号:
445-2219
搜索
Infineon BFS17SH6327 , NPN 射频双极晶体管, 25 mA, Vce=15 V, HFE:40, 2.5 GHz, 6引脚 SOT-363封装
规格:最大功率耗散 280 mW,
制造商零件编号:
BFS17SH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9345
搜索
NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF909AWR,115, 40 mA, Vds=7 V, 4引脚 SOT-343R封装
规格:最大功率耗散 280 mW,
制造商零件编号:
BF909AWR,115
品牌:
NXP
库存编号:
626-2440
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI1302DL-T1-E3, 600 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323封装
规格:最大功率耗散 280 mW,
制造商零件编号:
SI1302DL-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
655-6795
搜索
ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET NTZD3152PT1G, 430 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
规格:最大功率耗散 280 mW,
制造商零件编号:
NTZD3152PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4795
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG1012T-7, 630 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523封装
规格:最大功率耗散 280 mW,
制造商零件编号:
DMG1012T-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4064
搜索
ON Semiconductor 双 N沟道 Si MOSFET NTZD5110NT1G, 310 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-563封装
规格:最大功率耗散 280 mW,
制造商零件编号:
NTZD5110NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4802
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI1330EDL-T1-GE3, 240 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323封装
规格:最大功率耗散 280 mW,
制造商零件编号:
SI1330EDL-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3069
搜索
Infineon BFR35AP , NPN 晶体管, 45 mA, Vce=15 V, HFE:70, 5000 MHz, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大功率耗散 280 mW,
制造商零件编号:
BFR35AP
品牌:
Infineon
库存编号:
445-2203
搜索
Infineon BFS17PE6327 , NPN 射频双极晶体管, 25 mA, Vce=15 V, HFE:40, 2.5 GHz, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大功率耗散 280 mW,
制造商零件编号:
BFS17PE6327
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0077
搜索
ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTZD3155CT1G, 450 mA,570 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
规格:最大功率耗散 280 mW,
制造商零件编号:
NTZD3155CT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4809
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI1032R-T1-GE3, 200 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75A封装
规格:最大功率耗散 280 mW,
制造商零件编号:
SI1032R-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9024
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMG1012T-7, 630 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523封装
规格:最大功率耗散 280 mW,
制造商零件编号:
DMG1012T-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8367
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