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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4110PBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 370000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFP4110PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6995
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFP22N60KPBF, 22 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 370000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFP22N60KPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4806
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3107-7PPBF, 260 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 370000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFS3107-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7064
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3107PBF, 230 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 370000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFS3107PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7068
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4110PBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 370000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFB4110PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-578
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLB4030PBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 370000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLB4030PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7216
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLS4030-7PPBF, 190 A, Vds=100 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 370000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLS4030-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7266
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLS4030PBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 370000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLS4030PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7260
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP23N50LPBF, 23 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 370000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFP23N50LPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4800
  
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