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• Infineon IRGB30B60KPBF N沟道 IGBT, 78 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 370 W,
• 制造商零件编号：
  IRGB30B60KPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3278
  
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• Infineon AUIRGSL30B60K N沟道 IGBT, 78 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 370 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRGSL30B60K
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1695
  
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• Infineon IRGS30B60KPBF N沟道 IGBT, 78 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 370 W,
• 制造商零件编号：
  IRGS30B60KPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3281
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS3107-7P, 240 A，260 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 370 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS3107-7P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9168
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLS4030, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 370 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRLS4030
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9256
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4110GPBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 370 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB4110GPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5807
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3077PBF, 210 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 370 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB3077PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4716
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFS3107, 195 A，230 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 370 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS3107
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9164
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3077PBF, 210 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 370 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB3077PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3960
  
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• Infineon AUIRGS30B60K N沟道 IGBT, 78 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 370 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRGS30B60K
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9366
  
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• Infineon IRGP50B60PDPBF N沟道 IGBT, 75 A, Vce=600 V, 30 → 150kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 370 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP50B60PDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0984
  
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