规格:最大功率耗散 55 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP3N30, 3.2 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 55 W,
制造商零件编号:
FQP3N30
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5872
搜索
Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD7P20TM, 5.7 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 55 W,
制造商零件编号:
FQD7P20TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4948
查看其他仓库
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD18N06LT4G, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 55 W,
制造商零件编号:
NTD18N06LT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5121
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8729PBF, 58 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 55 W,
制造商零件编号:
IRLR8729PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7248
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTD18N06LT4G, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 55 W,
制造商零件编号:
NTD18N06LT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7875
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD5414NT4G, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 55 W,
制造商零件编号:
NVD5414NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1074
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQD12N20TM, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 55 W,
制造商零件编号:
FQD12N20TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-9008
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6635, 59 A, Vds=35 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大功率耗散 55 W,
制造商零件编号:
FDD6635
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0903
查看其他仓库
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET WPH4003-1E, 3 A, Vds=1700 V, 3引脚 TO-3PF封装
规格:最大功率耗散 55 W,
制造商零件编号:
WPH4003-1E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
796-1393
搜索
IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTY2N65X2, 2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:最大功率耗散 55 W,
制造商零件编号:
IXTY2N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1476
查看其他仓库
IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTP2N65X2, 2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 55 W,
制造商零件编号:
IXTP2N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1482
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET IRF530A, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 55 W,
制造商零件编号:
IRF530A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5367
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8880, 58 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 55 W,
制造商零件编号:
FDD8880
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0151
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB8880, 54 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:最大功率耗散 55 W,
制造商零件编号:
FDB8880
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9005
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTD2955-1G, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大功率耗散 55 W,
制造商零件编号:
NTD2955-1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0517
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8882, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 55 W,
制造商零件编号:
FDD8882
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
802-3216
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