规格:最大功率耗散 260 mW,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor 2SC5658M3T5G , NPN 晶体管, 150 mA, Vce=50 V, HFE:120, 30 MHz, 3引脚 SOT-723封装
规格:最大功率耗散 260 mW,
制造商零件编号:
2SC5658M3T5G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9336
搜索
ON Semiconductor 2SC5658RM3T5G , NPN 双极晶体管, 150 mA, Vce=50 V, HFE:215, 180 MHz, 3引脚 SOT-723封装
规格:最大功率耗散 260 mW,
制造商零件编号:
2SC5658RM3T5G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9339
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Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002PW, 310 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323封装
规格:最大功率耗散 260 mW,
制造商零件编号:
2N7002PW
品牌:
Nexperia
库存编号:
780-5348
搜索
Analog Devices Hittite 系列 升-降变频器/混频器电路 HMC260LC3B, 26GHz, 增益=14 dB, 12针 表面安装封装
规格:最大功率耗散 260 mW,
制造商零件编号:
HMC260LC3B
品牌:
Analog Devices
库存编号:
862-6313
查看其他仓库
ON Semiconductor BC847BM3T5G , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:200, 100 MHz, 3引脚 SOT-723封装
规格:最大功率耗散 260 mW,
制造商零件编号:
BC847BM3T5G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9608
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