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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA7672, 9 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  FDMA7672
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3472
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA8878, 10 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  FDMA8878
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3481
  
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• DiodesZetex N沟道 MOSFET 晶体管 DMN10H120SFG-7, 5.3 A, Vds=100 V, 8引脚 POWERDI3333封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  DMN10H120SFG-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0465
  
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• Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI4948BEY-T1-GE3, 3.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  SI4948BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5882
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3010LK3-13, 43 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  DMN3010LK3-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1076
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4102DY-T1-GE3, 2.7 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  SI4102DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3305
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4128DY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  SI4128DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3311
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET AUIRF7341Q, 5.1 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF7341Q
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4274
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4948BEY-T1-GE3, 3.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  SI4948BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9008
  
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• STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STL6N2VH5, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  STL6N2VH5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7699
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMA291P, 6.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  FDMA291P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6238
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDMA420NZ, 5.7 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  FDMA420NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6244
  
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• DiodesZetex P沟道 MOSFET 晶体管 DMP2039UFDE4-7, 7.3 A, Vds=25 V, 6引脚 X2-DFN2020封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  DMP2039UFDE4-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5288
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDMA910PZ, 9.4 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  FDMA910PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3488
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET IRFM120ATF, 2.3 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  IRFM120ATF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-8717
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS4675_F085, 11 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  FDS4675_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8691
  
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• Texas Instruments TPS2500DRCT USB 电源开关, 高侧，低侧, 120mΩ接通电阻, 1.8 V min., 10引脚 VSON封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  TPS2500DRCT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  812-0405
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDMA510PZ, 7.8 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  FDMA510PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6250
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STL6N3LLH6, 6 A, Vds=30 V, 6引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  STL6N3LLH6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7693
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDMA905P, 10 A, Vds=12 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  FDMA905P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3484
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDS4675, 11 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  FDS4675
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3655
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN10H120SFG-13, 5.3 A, Vds=100 V, 8引脚 POWERDI3333封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  DMN10H120SFG-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0529
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4948BEY-T1-GE3, 3.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 2.4 W,
• 制造商零件编号：
  SI4948BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4198
  
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