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• Fairchild Semiconductor SGL160N60UFDTU N沟道 IGBT, 160 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-264封装
  
  品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  SGL160N60UFDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-4580
  
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• Fairchild Semiconductor FGA25S125P N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1250 V, 1MHz, 3引脚 TO-3PN封装
  
  品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  FGA25S125P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  805-0384
  
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• Fairchild Semiconductor ISL9V5036P3_F085 N沟道 IGBT, 46 A, Vce=300 V, 1MHz, 3引脚 TO-220AA封装
  
  品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  ISL9V5036P3_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-8751
  
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• Fairchild Semiconductor FGH30T65UPDT_F155 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  FGH30T65UPDT_F155
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8843
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP20N50, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  FDP20N50
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4809
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB20N50F, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  FDB20N50F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7975
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA46N15, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  FQA46N15
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-8982
  
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• Fairchild Semiconductor ISL9V5036S3ST N沟道 IGBT, 46 A, Vce=420 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  ISL9V5036S3ST
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9362
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDB28N30TM, 28 A, Vds=300 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  FDB28N30TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8970
  
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