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• STMicroelectronics BUT30V , NPN 晶体管, 100 A, Vce=125 V, HFE:27, 4引脚 ISOTOP封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  BUT30V
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  264-355
  
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• ON Semiconductor MJ15023G , PNP 晶体管, 16 A, Vce=200 V, HFE:5, 4 MHz, 3引脚 TO-204封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  MJ15023G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  544-9630
  
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• ON Semiconductor MJ15025G , PNP 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:5, 4 MHz, 3引脚 TO-204封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  MJ15025G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  544-9703
  
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• ON Semiconductor MJ21194G , NPN 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:25, 4 MHz, 3引脚 TO-204封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  MJ21194G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  545-0236
  
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• ON Semiconductor MJ15004G , PNP 晶体管, 20 A, Vce=140 V, HFE:25, 2 MHz, 2引脚 TO-204AA封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  MJ15004G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  296-273
  
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• ON Semiconductor MJ15024G , NPN 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:5, 4 MHz, 3引脚 TO-204封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  MJ15024G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  544-9646
  
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• ON Semiconductor MJW18020G , NPN 晶体管, 30 A, Vce=450 V, HFE:4, 1 MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  MJW18020G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-4559
  
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• Fuji Electric 6MBP75VDA-060-50 N通道 智能功率模块, 3 相, 75 A, Vce=600 V, 25引脚 P 630封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  6MBP75VDA-060-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  877-7310
  
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• Infineon IKW40N65H5 N沟道 IGBT, 74 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  IKW40N65H5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7779
  
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• Infineon IRGP4640DPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP4640DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-1115
  
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• ON Semiconductor NGTB30N60FLWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB30N60FLWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  796-1347
  
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• IXYS IXA33IF1200HB N沟道 IGBT, 58 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  IXA33IF1200HB
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  808-0253
  
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• Infineon IRGP4640PBF N沟道 IGBT, 65 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP4640PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4230
  
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• Infineon IRGP4640PBF N沟道 IGBT, 65 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP4640PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3435
  
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• Infineon IRGP4262DPBF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP4262DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4924
  
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• Fuji Electric 7MBP50VDA-120-50 N通道 智能功率模块, 3 相, 50 A, Vce=1200 V, 25引脚 P 630封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  7MBP50VDA-120-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  877-7275
  
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• Infineon AUIRGP4062D N沟道 IGBT, 48 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRGP4062D
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1683
  
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• Fairchild Semiconductor SGL160N60UFDTU N沟道 IGBT, 160 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-264封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  SGL160N60UFDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-4580
  
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• ON Semiconductor NGTB40N60IHLWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB40N60IHLWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7412
  
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• STMicroelectronics STGW39NC60VD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  STGW39NC60VD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-9209
  
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• Fairchild Semiconductor FGA25S125P N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1250 V, 1MHz, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  FGA25S125P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  805-0384
  
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• Fairchild Semiconductor ISL9V5036P3_F085 N沟道 IGBT, 46 A, Vce=300 V, 1MHz, 3引脚 TO-220AA封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  ISL9V5036P3_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-8751
  
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• Fairchild Semiconductor FGH30T65UPDT_F155 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  FGH30T65UPDT_F155
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8843
  
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• Magnatec N沟道 Si MOSFET BUZ901D, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  BUZ901D
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  841-069
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW43N60DM2, 34 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  STW43N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6483
  
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