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• Fairchild Semiconductor FGB20N60SF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  FGB20N60SF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9251
  
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• Fairchild Semiconductor FGB20N60SFD_F085 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  FGB20N60SFD_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8792
  
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• Fairchild Semiconductor FGB20N60SFD N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  FGB20N60SFD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8798
  
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• Infineon IRGB15B60KDPBF N沟道 IGBT, 31 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  IRGB15B60KDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0974
  
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• ON Semiconductor NGTB50N60S1WG N沟道 IGBT, 100 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB50N60S1WG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  882-9828
  
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• Infineon IRGS15B60KPBF N沟道 IGBT, 31 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  IRGS15B60KPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4946
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  IPP60R125CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7478
  
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• Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  SPW20N60S5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-6414
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  FCP20N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4746
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB20N60FTM, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  FCB20N60FTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6119
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  SPP21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3207
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP090N10, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  FDP090N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9670
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP190N60E, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  FCP190N60E
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9102
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCP190N60E, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  FCP190N60E
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1152
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7440PBF, 208 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS7440PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-8975
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP190N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  FCP190N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-5065
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  FCP20N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4838
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  IPW60R125CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7333
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB20N60TM, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  FCB20N60TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0330
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R340C3, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  IPW90R340C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8390
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7440PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB7440PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  776-9188
  
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• Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHG14N50D-GE3, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  SiHG14N50D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9213
  
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• Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHP14N50D-GE3, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  SiHP14N50D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9216
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPI21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  SPI21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8772
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCP190N60_GF102, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 208 W,
• 制造商零件编号：
  FCP190N60_GF102
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7900
  
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