品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
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半导体
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS5672, 10.6 A, Vds=60 V, 8引脚 MLP封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FDMS5672
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0390
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS5672, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FDS5672
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0542
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDS6375, 8 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FDS6375
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0564
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6670A, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FDS6670A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0582
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDS6673BZ, 14.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FDS6673BZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0595
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6690AS, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FDS6690AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0627
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8884, 8.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FDS8884
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0722
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8896, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FDS8896
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0731
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQD13N06TM, 10 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FQD13N06TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0958
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD1N60CTM, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FQD1N60CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0983
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Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQU11P06TU, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FQU11P06TU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5335
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU13N10LTU, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FQU13N10LTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5348
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS4685, 8.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FDS4685
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0520
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDS4672A, 11 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FDS4672A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0526
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS6675BZ, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FDS6675BZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0598
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6682, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FDS6682
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0611
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6690A, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FDS6690A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0624
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8447, 12.8 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FDS8447
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0693
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS9435A, 5.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FDS9435A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0750
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Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQD11P06TM, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FQD11P06TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0949
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD13N10LTM, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FQD13N10LTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0952
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD7P20TM, 5.7 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FQD7P20TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1034
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD8P10TM, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FQD8P10TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1043
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Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS3692, 4.5 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FDS3692
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0501
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDS4435BZ, 8.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大功率耗散 2500 mW,
制造商零件编号:
FDS4435BZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0508
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