以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Taiwan Semiconductor TSC5804DCH C5G , NPN 晶体管, 5 A, Vce=450 V, HFE:25, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  TSC5804DCH C5G
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  900-9034
  
• 
  搜索

• Taiwan Semiconductor TSC5804DCP ROG , NPN 晶体管, 5 A, Vce=450 V, HFE:25, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  TSC5804DCP ROG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  901-4083
  
• 
  查看其他仓库

• ON Semiconductor NJD35N04G NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=350 V, HFE=300, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  NJD35N04G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  805-4412
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor NJD35N04T4G NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=350 V, HFE=2000, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  NJD35N04T4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  806-5046
  
• 
  搜索

• Toshiba GT20J341 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 100kHz, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  GT20J341
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5055
  
• 
  搜索

• Infineon IRG4IBC30KDPBF N沟道 IGBT, 17 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4IBC30KDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0928
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon IRG4IBC30WPBF N沟道 IGBT, 17 A, Vce=600 V, 30 → 150kHz, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4IBC30WPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0930
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon IRG4IBC30SPBF N沟道 IGBT, 23.5 A, Vce=600 V, 1kHz, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4IBC30SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0937
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N20, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  STD5N20
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  248-990
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ24NPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  IRLZ24NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1231
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFIZ46NPBF, 33 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  IRFIZ46NPBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  542-9759
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLIZ44NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  IRLIZ44NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0541
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD4NK50ZT4, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  STD4NK50ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5153
  
• 
  搜索

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFZ24NS, 17 A, Vds=55 V, 4引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ24NS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1872
  
• 
  搜索

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC057N03MS G, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  BSC057N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5279
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD2N62K3, 2.2 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  STD2N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9569
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP3LN62K3, 2.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  STP3LN62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9689
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STD3LN62K3, 2.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  STD3LN62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9897
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP4NK50ZD, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  STP4NK50ZD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0134
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STB16NF06LT4, 16 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  STB16NF06LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0651
  
• 
  搜索

• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQJ850EP-T1_GE3, 24 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  SQJ850EP-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9500
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7ANM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  STD7ANM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5723
  
• 
  查看其他仓库

• Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 TPH7R506NH, 55 A, Vds=60 V, 8引脚 SOP 高级封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  TPH7R506NH
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5147
  
• 
  查看其他仓库

• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK100A08N1,S4X(S, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  TK100A08N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4980
  
• 
  搜索

• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK20A60W,S5VX(M, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大功率耗散 45 W,
• 制造商零件编号：
  TK20A60W,S5VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5062
  
• 
  搜索