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• Infineon IRG4PC50UD-EPBF N沟道 IGBT, 55 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4PC50UD-EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0946
  
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• Infineon IRGP6640D-EPBF N沟道 IGBT, 53 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP6640D-EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5061
  
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• Infineon BSM25GD120DN2 IGBT 模块, 3 相桥接, 25 A, Vce=1200 V, 17引脚 EconoPACK 2封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  BSM25GD120DN2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5333
  
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• Infineon IRGP6640DPBF N沟道 IGBT, 53 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP6640DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3454
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3205SPBF, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRF3205SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9210
  
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• Infineon LogicFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2505PBF, 104 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRL2505PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1544
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404ZS, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1404ZS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7695
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP064N, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFP064N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1816
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL1404ZL, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRL1404ZL
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4334
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL1404ZS, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRL1404ZS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4337
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404SPBF, 162 A, Vds=40 V, 4引脚 SMD-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRF1404SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0271
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3007, 75 A，80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3007
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9127
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB31N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3947
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DTRLP, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS31N20DTRLP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4091
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2805SPBF, 135 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRF2805SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5740
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3808SPBF, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRF3808SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3303
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL1404SPBF, 160 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRL1404SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5000
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405STRLPBF, 131 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRF1405STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4939
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF4905PBF, 74 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRF4905PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4772
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP064NPBF, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP064NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0008
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3710SPBF, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRF3710SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9254
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405SPBF, 131 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRF1405SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  628-1744
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404Z, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1404Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7689
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF2805S, 135 A, Vds=55 V, 4引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF2805S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1771
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3808S, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3808S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1790
  
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