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• ON Semiconductor MJL1302AG , PNP 晶体管, 15 A, Vce=260 V, HFE:45, 30 MHz, 3引脚 TO-264封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  MJL1302AG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5400
  
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• ON Semiconductor MJW21193G , PNP 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  MJW21193G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5413
  
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• ON Semiconductor MJW21194G , NPN 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  MJW21194G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5416
  
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• ON Semiconductor NJW21193G , PNP 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  NJW21193G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5463
  
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• ON Semiconductor NJW21194G , NPN 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  NJW21194G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5466
  
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• ON Semiconductor MJ15001G , NPN 晶体管, 15 A, Vce=140 V, HFE:25, 2引脚 TO-204AA封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  MJ15001G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  862-4960
  
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• ON Semiconductor MJL21194G , NPN 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-3BPL封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  MJL21194G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-5143
  
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• Semelab MG6330 , NPN 晶体管, 15 A, Vce=230 V, HFE:140, 60 MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  MG6330
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  737-8864
  
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• ON Semiconductor NJW1302G , PNP 晶体管, 15 A, Vce=250 V, HFE:45, 1 MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  NJW1302G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  805-2006
  
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• ON Semiconductor MJ802G , NPN 晶体管, 30 A, Vce=90 V, HFE:25, 2引脚 TO-204AA封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  MJ802G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  862-4972
  
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• ON Semiconductor 2N5885G , NPN 晶体管, 25 A, Vce=60 V, HFE:4, 1 MHz, 2引脚 TO-204AA封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  2N5885G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-3234
  
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• ON Semiconductor MJL21193G , PNP 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-264封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  MJL21193G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5404
  
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• ON Semiconductor MJW21195G , PNP 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  MJW21195G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5410
  
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• ON Semiconductor MJL21195G , PNP 晶体管, 16 A, Vce=250 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 TO-264封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  MJL21195G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-4546
  
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• ON Semiconductor MJ11012G NPN 达林顿晶体管对, 30 A, Vce=60 V, HFE=200, 2引脚 TO-204AA封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  MJ11012G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  862-4954
  
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• Fuji Electric 7MBR50VA-060-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 50 A, Vce=600 V, 24引脚 M711封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  7MBR50VA-060-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  110-9130
  
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• Infineon IRG4PC50UD-EPBF N沟道 IGBT, 55 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4PC50UD-EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0946
  
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• Infineon IRGP6640D-EPBF N沟道 IGBT, 53 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP6640D-EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5061
  
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• Infineon BSM25GD120DN2 IGBT 模块, 3 相桥接, 25 A, Vce=1200 V, 17引脚 EconoPACK 2封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  BSM25GD120DN2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5333
  
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• STMicroelectronics STGP20NC60V N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  STGP20NC60V
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-9151
  
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• STMicroelectronics STGP30NC60W N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  STGP30NC60W
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  810-3526
  
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• STMicroelectronics STGW30NC60KD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  STGW30NC60KD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  877-2905
  
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• STMicroelectronics STGW35HF60WD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  STGW35HF60WD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  877-2908
  
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• Infineon IRGP6640DPBF N沟道 IGBT, 53 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP6640DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3454
  
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• HY Electronic Corp HYG30P120H1K1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 40 A, Vce=1200 V, 24引脚
  
  规格：最大功率耗散 200 W,
• 制造商零件编号：
  HYG30P120H1K1
  品牌：
  HY Electronic Corp
  库存编号：
  916-3352
  
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