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• Magnatec MJE340 , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 SOT-32封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  MJE340
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  294-227
  
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• DiodesZetex DXT458P5-13 , NPN 晶体管, 300 mA, Vce=400 V, HFE:300, 50 MHz, 3引脚 PowerDI 5封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  DXT458P5-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-1296
  
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• DiodesZetex FCX605TA NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=120 V, HFE=5000, 3引脚 SOT-89封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  FCX605TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-1350
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024ZPBF, 5 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  IRLL024ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4463
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSC026N02KS G, 100 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSC026N02KS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8154
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI5855CDC-T1-E3, 3 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  SI5855CDC-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1346
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH3702TR2PBF, 16 A, Vds=30 V, 8引脚 QFN封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH3702TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  725-9256
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STL22N65M5, 15 A, Vds=710 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  STL22N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3046
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STL57N65M5, 22 A, Vds=710 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  STL57N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3056
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL36N55M5, 22 A, Vds=600 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  STL36N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3113
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI1442DH-T1-GE3, 4 A, Vds=12 V, 6引脚 SC-70封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  SI1442DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9134
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET Si1416EDH-T1-GE3, 3.9 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  Si1416EDH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3063
  
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• Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI1480DH-T1-GE3, 2.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  SI1480DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3085
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL024ZTRPBF, 5.1 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  IRFL024ZTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3990
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 CSD25401Q3, 60 A, Vds=20 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  CSD25401Q3
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4921
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH3702TRPBF, 42 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH3702TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4995
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3016LK3-13, 38 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  DMN3016LK3-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1085
  
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• Maxim MAX4886ETO+ 模拟开关, 四 2:1, 3 → 3.6 V电源, 42引脚 TQFN封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  MAX4886ETO+
  品牌：
  Maxim
  库存编号：
  798-7803
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6725MTR1PBF, 28 A, Vds=30 V, 7引脚 DirectFET MX封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  IRF6725MTR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6778
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6727MTR1PBF, 32 A, Vds=30 V, 7引脚 DirectFET MX封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  IRF6727MTR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6780
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6797MTR1PBF, 36 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET MX封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  IRF6797MTR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6790
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL45N65M5, 22 A, Vds=710 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  STL45N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3122
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL38N65M5, 22 A, Vds=650 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  STL38N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3125
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI1441EDH-T1-GE3, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-323封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  SI1441EDH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3079
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI4823DY-T1-GE3, 3.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 2.8 W,
• 制造商零件编号：
  SI4823DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1283
  
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