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• Vishay VS-GB100TS60NPBF N通道 IGBT 模块, 串行, 108 A, Vce=600 V, 7引脚 INT-A-PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 390 W,
• 制造商零件编号：
  VS-GB100TS60NPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  873-2320
  
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• Fuji Electric 7MBR100U4B-120-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=1200 V, 24引脚 M712封装
  
  规格：最大功率耗散 390 W,
• 制造商零件编号：
  7MBR100U4B-120-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  716-5674
  
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• Infineon AUIRGP50B60PD1 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=600 V, 150kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 390 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRGP50B60PD1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7546
  
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• Infineon IRG7PH46UDPBF N沟道 IGBT, 108 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 390 W,
• 制造商零件编号：
  IRG7PH46UDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7587
  
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• Infineon AUIRGP50B60PD1E N沟道 IGBT, 75 A, Vce=600 V, 150kHz, 3引脚 TO-247AD封装
  
  规格：最大功率耗散 390 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRGP50B60PD1E
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1692
  
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• Fairchild Semiconductor HGTG18N120BND N沟道 IGBT, 54 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 390 W,
• 制造商零件编号：
  HGTG18N120BND
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4285
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4332PBF, 60 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 390 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB4332PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-562
  
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• IXYS HiperFET, X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH22N65X2, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 390 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH22N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1460
  
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• Fuji Electric 6MBI75U4B-120-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 75 A, Vce=1200 V, 35引脚 M633封装
  
  规格：最大功率耗散 390 W,
• 制造商零件编号：
  6MBI75U4B-120-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  462-833
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SiHG32N50D-GE3, 30 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 390 W,
• 制造商零件编号：
  SiHG32N50D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9207
  
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• IXYS HiperFET, X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFA22N65X2, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263AA封装
  
  规格：最大功率耗散 390 W,
• 制造商零件编号：
  IXFA22N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1451
  
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• Fuji Electric 2MBi75VA-120-50 N通道 IGBT 模块, 串行, 75 A, Vce=1200 V, 7引脚 M263封装
  
  规格：最大功率耗散 390 W,
• 制造商零件编号：
  2MBi75VA-120-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  771-6294
  
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