规格:最大功率耗散 125 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
STMicroelectronics BUV48A , NPN 晶体管, 15 A, Vce=1000 V, HFE:8, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
BUV48A
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
102-4118
搜索
STMicroelectronics TIP36C , PNP 晶体管, 25 A, Vce=100 V, HFE:10, 3 MHz, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
TIP36C
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
251-3558
搜索
ON Semiconductor MJE18008G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=450 V, HFE:10, 1 MHz, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
MJE18008G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5378
搜索
STMicroelectronics BU508AW , NPN 晶体管, 8 A, Vce=700 V, HFE:5, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
BU508AW
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1578
搜索
ON Semiconductor MJE4343G , NPN 晶体管, 16 A, Vce=160 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 SOT-93封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
MJE4343G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
545-0270
搜索
STMicroelectronics BU508AW , NPN 晶体管, 8 A, Vce=700 V, HFE:5, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
BU508AW
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-6746
搜索
ON Semiconductor MJF18008G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=450 V, HFE:10, 1 MHz, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
MJF18008G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5384
搜索
STMicroelectronics BUV48A , NPN 晶体管, 15 A, Vce=1000 V, HFE:8, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
BUV48A
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-6759
搜索
ON Semiconductor TIP147G PNP 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=100 V, HFE=500, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
TIP147G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-3666
搜索
ON Semiconductor BSP52T3G NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=80 V, HFE=2000, 3 + 1 (Tab)引脚 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
BSP52T3G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9702
搜索
Littlefuse NGD8201ANT4G N沟道 IGBT, 50 A, Vce=440 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
NGD8201ANT4G
品牌:
Littlefuse
库存编号:
747-0901
搜索
STMicroelectronics STGD20N40LZ N沟道 IGBT, 25 A, Vce=425 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
STGD20N40LZ
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5763
搜索
STMicroelectronics STGD18N40LZT4 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=420 V, 1MHz, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
STGD18N40LZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-9019
搜索
IXYS IXYP8N90C3 N沟道 IGBT, 48 A, Vce=900 V, 50kHz, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IXYP8N90C3
品牌:
IXYS
库存编号:
791-7429
搜索
STMicroelectronics STGD19N40LZ N沟道 IGBT, 25 A, Vce=425 V, 1MHz, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
STGD19N40LZ
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9330
搜索
Fairchild Semiconductor FGD4536TM N沟道 IGBT, 220 A, Vce=360 V, 1MHz, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FGD4536TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0779
查看其他仓库
Infineon IRGB14C40LPBF N沟道 IGBT, 20 A, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRGB14C40LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3269
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Infineon IRGB14C40LPBF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=430 V, 1kHz, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRGB14C40LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0971
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Infineon IRG8P15N120KDPBF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRG8P15N120KDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3393
查看其他仓库
Infineon IRGS14C40LPBF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=430 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRGS14C40LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4701
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Magnatec N沟道 Si MOSFET BUZ900, 8 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-3封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
BUZ900
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-025
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Magnatec Si N沟道 MOSFET BUZ901, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
BUZ901
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-053
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Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ906, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
BUZ906
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-110
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Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ906P, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
BUZ906P
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-132
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Magnatec Si P沟道 MOSFET IRF9140, 18 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3封装
规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRF9140
品牌:
Magnatec
库存编号:
189-0955
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