规格:最大功率耗散 2.7 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5820NLTAG, 37 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
NTTFS5820NLTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5087
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5811NLTWG, 17 A, Vds=40 V, 8引脚 WDFN封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
NTTFS5811NLTWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2991
查看其他仓库
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTTFS5811NLTAG, 17 A, Vds=40 V, 8引脚 WDFN封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
NTTFS5811NLTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2998
查看其他仓库
Vishay P沟道 Si MOSFET SI8439DB-T1-E1, 9.2 A, Vds=8 V, 4引脚 微型支脚封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
SI8439DB-T1-E1
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9260
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SI3460DDV-T1-GE3, 7.9 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
SI3460DDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3158
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI8487DB-T1-E1, 6.2 A, Vds=30 V, 4引脚 微型支脚封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
SI8487DB-T1-E1
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1429
搜索
STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si P沟道 MOSFET STS7P4LLF6, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
STS7P4LLF6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2864
搜索
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMFS4899NFT1G, 29 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
NTMFS4899NFT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2951
查看其他仓库
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMFS4899NFT3G, 29 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
NTMFS4899NFT3G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2960
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET SI3442CDV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
SI3442CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9226
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17308Q3, 47 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
CSD17308Q3
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4836
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STS10P4LLF6, 10 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
STS10P4LLF6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5711
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5820NLTAG, 37 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
NTTFS5820NLTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2995
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STS3P6F6, 3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
STS3P6F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7911
搜索
Nexperia P沟道 Si MOSFET PMZB670UPE, 680 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-883B封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
PMZB670UPE
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2817
搜索
Maxim MAX4999ETJ+ 多路复用器, 单 8:1 多路复用器, 3 → 3.6 V电源, 32引脚 TQFN封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
MAX4999ETJ+
品牌:
Maxim
库存编号:
799-3035
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5820NLTWG, 37 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
NTTFS5820NLTWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-3008
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLHM620TRPBF, 26 A, Vds=20 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
IRLHM620TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7243
查看其他仓库
Nexperia Si N沟道 MOSFET PMZB290UNE, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-883B封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
PMZB290UNE
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2814
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDPC4044, 27 A, Vds=30 V, 8引脚 电源夹 33封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
FDPC4044
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8565
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI3442CDV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
SI3442CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4224
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI3442CDV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
SI3442CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5918
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMT6016LPS-13, 32 A, Vds=60 V, 8引脚 POWERDI5060封装
规格:最大功率耗散 2.7 W,
制造商零件编号:
DMT6016LPS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1173
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