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• Infineon IKW30N60T N沟道 IGBT, 45 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 187 W,
• 制造商零件编号：
  IKW30N60T
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7185
  
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• Fuji Electric 7MBR50U2A-060-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 50 A, Vce=600 V, 24引脚 M711封装
  
  规格：最大功率耗散 187 W,
• 制造商零件编号：
  7MBR50U2A-060-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  716-5630
  
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• Fuji Electric 7MBP25VDA-120-50 N通道 智能功率模块, 3 相, 25 A, Vce=1200 V, 25引脚 P 630封装
  
  规格：最大功率耗散 187 W,
• 制造商零件编号：
  7MBP25VDA-120-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  877-7269
  
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• Infineon IGW30N60H3 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 187 W,
• 制造商零件编号：
  IGW30N60H3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7737
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB8030L, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大功率耗散 187 W,
• 制造商零件编号：
  FDB8030L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0812
  
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• STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STL220N6F7, 260 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：最大功率耗散 187 W,
• 制造商零件编号：
  STL220N6F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  907-4760
  
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• Infineon IKW30N60H3 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 187 W,
• 制造商零件编号：
  IKW30N60H3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7756
  
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• Infineon IGP30N60H3 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 187 W,
• 制造商零件编号：
  IGP30N60H3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8567
  
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• Vishay N沟道 MOSFET SUP75N03-04-E3, 75 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 187 W,
• 制造商零件编号：
  SUP75N03-04-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  655-6767
  
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