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• ON Semiconductor NGTB25N120IHLWG N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB25N120IHLWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7383
  
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• Fuji Electric 6MBP50VAA-060-50 N通道 智能功率模块, 3 相, 50 A, Vce=600 V, 20引脚 P 629封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  6MBP50VAA-060-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  877-7294
  
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• ON Semiconductor NGTB25N120LWG N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 4引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB25N120LWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  769-5816
  
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• ON Semiconductor NGTB20N120LWG N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB20N120LWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7370
  
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• ON Semiconductor NGTB25N120LWG N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB25N120LWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7386
  
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• ON Semiconductor NGTB30N120IHSWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB30N120IHSWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7399
  
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• ON Semiconductor NGTB20N120IHLWG N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB20N120IHLWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7368
  
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• ON Semiconductor NGTB25N120FLWG N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB25N120FLWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7374
  
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• Infineon IRGP6630DPBF N沟道 IGBT, 47 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP6630DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4243
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65E10N1,S1X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  TK65E10N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2414
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP20NM60FD, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  STP20NM60FD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8736
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW50R140CP, 23 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  IPW50R140CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7430
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK72E08N1, 157 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  TK72E08N1
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5109
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK65E10N1,S1X(S, 148 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  TK65E10N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5185
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPB50R140CP, 23 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  IPB50R140CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9196
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R140CP, 23 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  IPB50R140CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8217
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65E10N1,S1X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  TK65E10N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6252
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPB60R165CP, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  IPB60R165CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9178
  
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• Fuji Electric 7MBP35VDA-120-50 N通道 智能功率模块, 3 相, 35 A, Vce=1200 V, 25引脚 P 630封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  7MBP35VDA-120-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  877-7262
  
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• Infineon IRGP6630DPBF N沟道 IGBT, 47 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP6630DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3450
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP20NM60FD, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  STP20NM60FD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-2228
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18533KCS, 118 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 192 W,
• 制造商零件编号：
  CSD18533KCS
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4899
  
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