规格:最大功率耗散 231 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS7437-7PPBF, 195 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 231 W,
制造商零件编号:
IRFS7437-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9141
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP030N06, 120 A,193 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 231 W,
制造商零件编号:
FDP030N06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3541
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB029N06, 120 A,193 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 231 W,
制造商零件编号:
FDB029N06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0799
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDI030N06, 193 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK封装
规格:最大功率耗散 231 W,
制造商零件编号:
FDI030N06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8164
查看其他仓库
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL40B212, 254 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 231 W,
制造商零件编号:
IRL40B212
品牌:
Infineon
库存编号:
896-7342
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2903ZS, 235 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 231 W,
制造商零件编号:
AUIRF2903ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1780
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDP083N15A_F102, 105 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 231 W,
制造商零件编号:
FDP083N15A_F102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
760-5936
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB100N04S402DXTMA1, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大功率耗散 231 W,
制造商零件编号:
IPB100N04S402DXTMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9156
搜索
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL40S212, 254 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大功率耗散 231 W,
制造商零件编号:
IRL40S212
品牌:
Infineon
库存编号:
896-7346
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