以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• ON Semiconductor 2N5038G , NPN 晶体管, 20 A, Vce=90 V, HFE:20, 5 MHz, 2引脚 TO-204AA封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  2N5038G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-3237
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon IRGP4620DPBF N沟道 IGBT, 32 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP4620DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4237
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon IRGB4620DPBF N沟道 IGBT, 32 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  IRGB4620DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3429
  
• 
  搜索

• Infineon IRGS4620DPBF N沟道 IGBT, 32 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  IRGS4620DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3494
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL540NPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  IRL540NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1219
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP140NPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP140NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1269
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3110ZPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR3110ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4514
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3607PBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB3607PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6923
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1010EZ, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1010EZ
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7655
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1010ZS, 94 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1010ZS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7673
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF4104PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  IRF4104PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  716-5545
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR3607, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR3607
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1841
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3110Z, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR3110Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1901
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB14N30TM, 14 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  FDB14N30TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8949
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  STB21NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9837
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP26NM60N, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  STP26NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0083
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  STW21NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0294
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW30N65M5, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  STW30N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0317
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3607TRLPBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS3607TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4108
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7843PBF, 161 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR7843PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3388
  
• 
  搜索

• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK42E12N1,S1X(S, 88 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  TK42E12N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2385
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3607PBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  IRFSL3607PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5040
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL7762PBF, 85 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  IRFSL7762PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5101
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU3110ZPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  IRLU3110ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3976
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL7833STRLPBF, 150 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 140 W,
• 制造商零件编号：
  IRL7833STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5083
  
• 
  查看其他仓库