以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB5N90TM, 5.4 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 158 W,
• 制造商零件编号：
  FQB5N90TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-9001
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI120N04S4-02, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 158 W,
• 制造商零件编号：
  IPI120N04S4-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4657
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH140N6F7-2, 80 A, Vds=60 V, 2引脚 H2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 158 W,
• 制造商零件编号：
  STH140N6F7-2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2836
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S2L-11, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 158 W,
• 制造商零件编号：
  IPI80N06S2L-11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6776
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB120N04S4-02, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 158 W,
• 制造商零件编号：
  IPB120N04S4-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8655
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STP140N6F7, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 158 W,
• 制造商零件编号：
  STP140N6F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-4693
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S2L-11, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 158 W,
• 制造商零件编号：
  IPB80N06S2L-11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4524
  
• 
  搜索