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• NXP BFG325W/XR , NPN 晶体管, 35 mA, Vce=6 V, HFE:60, 14000 MHz, 4引脚 CMPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 210 mW,
• 制造商零件编号：
  BFG325W/XR
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-2535
  
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• Fairchild Semiconductor BC847BS, 双 NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:200, 6引脚 SC-70封装
  
  规格：最大功率耗散 210 mW,
• 制造商零件编号：
  BC847BS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  806-1707
  
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• Infineon BFP420H6801 , NPN 晶体管, 60 mA, Vce=4.5 V, HFE:60, 25 GHz, 4引脚 SOT-343封装
  
  规格：最大功率耗散 210 mW,
• 制造商零件编号：
  BFP420H6801
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8453
  
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• Infineon BFR 360F H6327 NPN 晶体管, 35 mA, Vce=6 V, HFE:90, 14 GHz, 3引脚 TSFP封装
  
  规格：最大功率耗散 210 mW,
• 制造商零件编号：
  BFR 360F H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2302
  
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• Infineon BFP 420F H6327 , NPN 晶体管, 60 mA, Vce=15 V, HFE:60, 4引脚 TSFP封装
  
  规格：最大功率耗散 210 mW,
• 制造商零件编号：
  BFP 420F H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7188
  
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• Infineon BFP420H6327 , NPN 射频双极晶体管, 60 mA, Vce=15 V, HFE:60, 25 GHz, 4引脚 SOT-343封装
  
  规格：最大功率耗散 210 mW,
• 制造商零件编号：
  BFP420H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8960
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTZS3151PT1G, 950 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
  
  规格：最大功率耗散 210 mW,
• 制造商零件编号：
  NTZS3151PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4806
  
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• Analog Devices Hittite 系列 升-降变频器/混频器电路 HMC773LC3B, 26GHz, 增益=11 dB, 12针 表面安装封装
  
  规格：最大功率耗散 210 mW,
• 制造商零件编号：
  HMC773LC3B
  品牌：
  Analog Devices
  库存编号：
  862-6445
  
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• Infineon BFP420H6740 , NPN 晶体管, 60 mA, Vce=4.5 V, HFE:60, 25 GHz, 4引脚 SOT-343封装
  
  规格：最大功率耗散 210 mW,
• 制造商零件编号：
  BFP420H6740
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8450
  
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