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• Fairchild Semiconductor FJA4213OTU , PNP 晶体管, 17 A, Vce=250 V, HFE:55, 30 MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  FJA4213OTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0849
  
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• Fairchild Semiconductor FJA13009TU , NPN 晶体管, 12 A, Vce=400 V, HFE:6, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  FJA13009TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-0401
  
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• STMicroelectronics STGP19NC60HD N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  STGP19NC60HD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-9104
  
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• Fairchild Semiconductor ISL9V2040D3ST N沟道 IGBT, 10 A, Vce=450 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  ISL9V2040D3ST
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9347
  
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• Infineon FP15R12W1T4_B3 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 28 A, Vce=1200 V, 23引脚 EASY1B封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  FP15R12W1T4_B3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-6995
  
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• Infineon FP15R12W1T4_B11 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 28 A, Vce=1200 V, 23引脚 EASY1B封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  FP15R12W1T4_B11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-7009
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ48NPBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  IRFZ48NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9957
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540NSPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  IRF540NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-2458
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL3705ZL, 86 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRL3705ZL
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4331
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRL2203N, 75 A, 116 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRL2203N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9212
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB18NM60ND, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  STB18NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9267
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK16N60W,S1VF(S, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  TK16N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5047
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16J60W,S1VQ(O, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  TK16J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6141
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 Si N沟道 MOSFET STP10N95K5, 8 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  STP10N95K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1440
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3705ZTRPBF, 89 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR3705ZTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3376
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540NSTRLPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  IRF540NSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2831
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK14N65W,S1F(S, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  TK14N65W,S1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2891
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540NLPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  IRF540NLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5028
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3411TRPBF, 32 A, Vds=100 V, 3针+焊片 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR3411TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5014
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF640SPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  IRF640SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-2464
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP4N80, 3.9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  FQP4N80
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5121
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL3705ZS, 86 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRL3705ZS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4340
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLR3705Z, 89 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR3705Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4353
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP20N65M5, 18 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  STP20N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3080
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP18NM60ND, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 130 W,
• 制造商零件编号：
  STP18NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7817
  
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