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• ON Semiconductor MJF32CG , PNP 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:10, 1 MHz, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  MJF32CG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5381
  
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• DiodesZetex APT13005TF-G1 , NPN 高压双极晶体管, 4 A, Vce=700 V, HFE:8, 4(最低)MHz, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  APT13005TF-G1
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  828-3339
  
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• ON Semiconductor MJF31CG , NPN 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:10, 1 MHz, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  MJF31CG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5387
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF600N60Z, 7.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  FCPF600N60Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1127
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF5N50UT, 4 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  FDPF5N50UT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8619
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C468NLT1G, 37 A, Vds=40 V, 5引脚 DFN封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  NTMFS5C468NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  922-9578
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6630A, 21 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  FDD6630A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9099
  
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• Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 SK8403160L, 70 A, Vds=30 V, 8引脚 HSSO8-F1-B封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  SK8403160L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7627
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSF030NE2LQ, 75 A, Vds=25 V, 2引脚 WDSON封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  BSF030NE2LQ
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9073
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF5N50FT, 4.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  FDPF5N50FT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8616
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC120N03MS G, 39 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  BSC120N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5308
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF4N60NZ, 3.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  FDPF4N60NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3627
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFHM8334TRPBF, 43 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  IRFHM8334TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5005
  
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• STMicroelectronics STGF14NC60KD N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  STGF14NC60KD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-9072
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLR014N, 10 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR014N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1897
  
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• Panasonic SK 系列 Si N沟道 MOSFET SK8603160L, 70 A, Vds=30 V, 8引脚 HSO8-F4-B封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  SK8603160L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7642
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF5N50T, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  FDPF5N50T
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3624
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  IPA65R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5585
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC050NE2LS, 58 A, Vds=25 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最大功率耗散 28 W,
• 制造商零件编号：
  BSC050NE2LS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5340
  
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