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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19531KCS, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  CSD19531KCS
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4912
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N10N3G, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  IPB042N10N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5237
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI111N15N3GAKSA1, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  IPI111N15N3GAKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4650
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPB014N06N, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  IPB014N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-2921
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP250NPBF, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP250NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4810
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW20NM60FD, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  STW20NM60FD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0629
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP250MPBF, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP250MPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4004
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB030N08N3G, 160 A, Vds=80 V, 7引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  IPB030N08N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5209
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDP039N08B_F102, 171 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  FDP039N08B_F102
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8537
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB108N15N3 G, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  IPB108N15N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  898-6996
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW20NM60FD, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  STW20NM60FD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1996
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA70N10, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  FQA70N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4963
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB039N10N3G, 160 A, Vds=100 V, 7引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  IPB039N10N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5299
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP034NE7N3GHKSA1, 100 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  IPP034NE7N3GHKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6833
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N08N3G, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  IPP037N08N3GXKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  914-0182
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB035N08N3 G, 100 A, Vds=80 V, 2针+焊片 PG-TO-263-3封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  IPB035N08N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7150
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP045N10N3 G, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  IPP045N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8378
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB024N04AL7, 219 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  FDB024N04AL7
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9462
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI037N08N3GXKSA1, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  IPI037N08N3GXKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4638
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP111N15N3 G, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  IPP111N15N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7412
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP020N06N, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  IPP020N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-2919
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP250NPBF, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大功率耗散 214 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP250NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0042
  
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