以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT4N20LTF, 850 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  FQT4N20LTF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1065
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86244, 2.8 A, Vds=150 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  FDT86244
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9718
  
• 
  搜索

• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3018SFG-7, 11.3 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  DMN3018SFG-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1088
  
• 
  查看其他仓库

• Nexperia Si P沟道 MOSFET PMN50XP,165, 4.8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  PMN50XP,165
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8423
  
• 
  查看其他仓库

• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMG4413LSS-13, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  DMG4413LSS-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4102
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86246, 2 A, Vds=150 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  FDT86246
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9712
  
• 
  搜索

• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMG7401SFG-13, 9.8 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  DMG7401SFG-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5254
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86106LZ, 3.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  FDT86106LZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9706
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86113LZ, 3.3 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  FDT86113LZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9715
  
• 
  搜索

• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMG7401SFG-7, 9.8 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  DMG7401SFG-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5263
  
• 
  查看其他仓库

• Microchip MCP87 系列 N沟道 Si MOSFET MCP87050T-U/MF, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 DFN封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  MCP87050T-U/MF
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  775-7390
  
• 
  搜索

• Microchip MCP87 系列 Si N沟道 MOSFET MCP87090T-U/MF, 64 A, Vds=25 V, 8引脚 DFN封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  MCP87090T-U/MF
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  775-7407
  
• 
  搜索

• DiodesZetex 双 N/P沟道 Si MOSFET DMC1229UFDB-7, 3 A，7.2 A, Vds=12 V, 6引脚 U-DFN2020封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  DMC1229UFDB-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0519
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor FPF2313LMPX 双 电流限制负载开关, 可调, 90mΩ接通电阻, 1.8 V min., 8引脚 MLP封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  FPF2313LMPX
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-8954
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86102LZ, 6.6 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  FDT86102LZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9194
  
• 
  搜索

• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG7430LFG-7, 10.5 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  DMG7430LFG-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5115
  
• 
  查看其他仓库

• Microchip MCP87 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 MCP87018T-U/MF, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 DFN封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  MCP87018T-U/MF
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  775-7384
  
• 
  查看其他仓库

• Microchip MCP87 系列 N沟道 Si MOSFET MCP87022T-U/MF, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 DFN封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  MCP87022T-U/MF
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  775-7393
  
• 
  搜索

• Microchip MCP87 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 MCP87030T-U/MF, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 DFN封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  MCP87030T-U/MF
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  775-7396
  
• 
  查看其他仓库

• Microchip MCP87 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 MCP87130T-U/MF, 54 A, Vds=25 V, 8引脚 DFN封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  MCP87130T-U/MF
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  775-7419
  
• 
  查看其他仓库

• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3008SFG-7, 11.7 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
  
  规格：最大功率耗散 2.2 W,
• 制造商零件编号：
  DMP3008SFG-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2630
  
• 
  查看其他仓库