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• Nexperia PBSS4032SPN, 双 NPN，PNP 晶体管, 5.7 A, Vce=30 V, HFE:200 (PNP), 300 (NPN), 100 MHz, 8引脚 SOT-96封装
  
  规格：最大功率耗散 2.3 W,
• 制造商零件编号：
  PBSS4032SPN
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  816-0683
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC7672, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
  
  规格：最大功率耗散 2.3 W,
• 制造商零件编号：
  FDMC7672
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6291
  
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• ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET NTLJD3115PT1G, 4.1 A, Vds=20 V, 6引脚 WDFN封装
  
  规格：最大功率耗散 2.3 W,
• 制造商零件编号：
  NTLJD3115PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0646
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NVF2955T1G, 2 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大功率耗散 2.3 W,
• 制造商零件编号：
  NVF2955T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  807-9871
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16301Q2, 5 A, Vds=25 V, 6引脚 SON封装
  
  规格：最大功率耗散 2.3 W,
• 制造商零件编号：
  CSD16301Q2
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4672
  
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• Infineon OptiMOS 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSZ0907NDXTMA1, 25 A，30 A, Vds=30 V, 8引脚 WISON封装
  
  规格：最大功率耗散 2.3 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ0907NDXTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5233
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6722MTR1PBF, 13 A, Vds=30 V, 7引脚 DirectFET MP封装
  
  规格：最大功率耗散 2.3 W,
• 制造商零件编号：
  IRF6722MTR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6762
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMS3615S, 88 A，89 A, Vds=25 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大功率耗散 2.3 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS3615S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  760-5902
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTF2955T1G, 2.6 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大功率耗散 2.3 W,
• 制造商零件编号：
  NTF2955T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-5069
  
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• Taiwan Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET TSM4944DCS RLG, 12.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 2.3 W,
• 制造商零件编号：
  TSM4944DCS RLG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  743-6043
  
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• ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTLJD3119CTBG, 4.1 A，4.6 A, Vds=20 V, 6引脚 WDFN封装
  
  规格：最大功率耗散 2.3 W,
• 制造商零件编号：
  NTLJD3119CTBG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0655
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTLJF4156NT1G, 4.6 A, Vds=30 V, 6引脚 WDFN封装
  
  规格：最大功率耗散 2.3 W,
• 制造商零件编号：
  NTLJF4156NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0658
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMS4807NR2G, 12.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大功率耗散 2.3 W,
• 制造商零件编号：
  NTMS4807NR2G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  805-4538
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17313Q2, 5 A, Vds=30 V, 6引脚 SON封装
  
  规格：最大功率耗散 2.3 W,
• 制造商零件编号：
  CSD17313Q2
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4849
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD85301Q2T, 5 A, Vds=20 V, 6引脚 WSON封装
  
  规格：最大功率耗散 2.3 W,
• 制造商零件编号：
  CSD85301Q2T
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  900-9911
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD83325LT, 8 A, Vds=12 V, 6引脚 PICOSTAR封装
  
  规格：最大功率耗散 2.3 W,
• 制造商零件编号：
  CSD83325LT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  900-9942
  
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• ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NTLJD4116NT1G, 2.5 A, Vds=30 V, 6引脚 WDFN封装
  
  规格：最大功率耗散 2.3 W,
• 制造商零件编号：
  NTLJD4116NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5268
  
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