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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4310PBF, 2.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRFL4310PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9884
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL3303PBF, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRLL3303PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9890
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024NPBF, 4.4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRLL024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1673
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4105TRPBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRFL4105TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3994
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL2705PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRLL2705PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4788
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4105PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRFL4105PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9878
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFHS8242TRPBF, 21 A, Vds=25 V, 6引脚 PQFN封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRFHS8242TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3969
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL014NTRPBF, 2.7 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRFL014NTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3984
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4310PBF, 2.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRFL4310PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4779
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLHS6342TRPBF, 8.7 A, Vds=30 V, 6引脚 PQFN封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRLHS6342TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7259
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFHS9301TRPBF, 6 A, Vds=30 V, 7引脚 PQFN封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRFHS9301TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7310
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFHS8342TR2PBF, 8.8 A, Vds=30 V, 7引脚 PQFN封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRFHS8342TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7335
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ058N03MS G, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ058N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8243
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL024NPBF, 4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRFL024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3988
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL2705TRPBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRLL2705TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3304
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL014NTRPBF, 2.8 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRLL014NTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3307
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL3303TRPBF, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRLL3303TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3313
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL014NPBF, 2.8 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRLL014NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4738
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL014NPBF, 2.8 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRLL014NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  302-000
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL2705PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRLL2705PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9907
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL014NPBF, 2.7 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRFL014NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1651
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ100N06LS3 G, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ100N06LS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8255
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL024NTRPBF, 4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRFL024NTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3997
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024NTRPBF, 4.4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRLL024NTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3300
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024NPBF, 4.4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRLL024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3878
  
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