规格:最大功率耗散 180 W,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
产品分类
(31)
半导体
(31)
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (3)
Fuji (1)
Infineon (10)
IXYS (5)
Nexperia (1)
ON Semiconductor (3)
STMicroelectronics (2)
Vishay (6)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
STMicroelectronics BUTW92 , NPN 晶体管, 60 A, Vce=250 V, HFE:6, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
BUTW92
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
686-7985
搜索
ON Semiconductor MJ15015G , NPN 晶体管, 15 A, Vce=120 V, HFE:5, 1 MHz, 2引脚 TO-204AA封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
MJ15015G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-3206
搜索
ON Semiconductor MJ15016G , PNP 晶体管, 15 A, Vce=120 V, HFE:5, 1 MHz, 2引脚 TO-204AA封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
MJ15016G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-3215
搜索
ON Semiconductor NJL0281DG , NPN 双极晶体管, 25 A, Vce=260 V, HFE:75, 5引脚 TO-264封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
NJL0281DG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1783
查看其他仓库
Infineon IRG7PH35UD-EP N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
IRG7PH35UD-EP
品牌:
Infineon
库存编号:
907-4861
查看其他仓库
Infineon IRG7PH30K10DPBF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
IRG7PH30K10DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7552
查看其他仓库
IXYS IXGP20N120B3 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 20kHz, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
IXGP20N120B3
品牌:
IXYS
库存编号:
791-7425
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFP9140PBF, 21 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
IRFP9140PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9727
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2203NPBF, 116 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
IRL2203NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9985
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010NSPBF, 85 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
IRF1010NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2874
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC50APBF, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
IRFPC50APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9844
搜索
IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH12N65X2, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
IXTH12N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1457
查看其他仓库
IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP12N65X2, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
IXTP12N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1505
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010NPBF, 85 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
IRF1010NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0777
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC50PBF, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
IRFPC50PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9838
搜索
Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP15N60E-GE3, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
SIHP15N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9437
搜索
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF76639S3ST_F085, 51 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
HUF76639S3ST_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-9319
查看其他仓库
IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTA12N65X2, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
IXTA12N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1508
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP27N25, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
FQP27N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5060
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB15N60E-GE3, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
SIHB15N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9304
搜索
IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFP8N50P3, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
IXFP8N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4442
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010NSTRLPBF, 85 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
IRF1010NSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4929
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010NPBF, 85 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
IRF1010NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4854
搜索
STMicroelectronics BUTW92 , NPN 晶体管, 60 A, Vce=250 V, HFE:6, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
BUTW92
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1438
搜索
Infineon IRG7PH35UDPBF N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大功率耗散 180 W,
制造商零件编号:
IRG7PH35UDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7565
查看其他仓库
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号