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• Infineon IGW20N60H3 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IGW20N60H3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8560
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3205Z, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3205Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7436
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3205ZS, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3205ZS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7439
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5210STRLPBF, 38 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRF5210STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2825
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB23N20DPBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB23N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5787
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104PBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRF1104PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4946
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104PBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRF1104PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1994
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF4905L, 70 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF4905L
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9133
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807ZPBF, 89 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRF2807ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2796
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807ZSPBF, 89 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRF2807ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3985
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRL3705N, 89 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRL3705N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1894
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF4905STRLPBF, 70 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRF4905STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2819
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF4905STRRPBF, 70 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRF4905STRRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2828
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB33N15DPBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB33N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5081
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP054NPBF, 81 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP054NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4892
  
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• Infineon IKW20N60H3 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 100kHz, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IKW20N60H3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2197
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BTS240A, 58 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-218封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  BTS240A
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-5859
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3705NPBF, 89 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRL3705NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9991
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP054NPBF, 81 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP054NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1253
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807ZSTRLPBF, 89 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRF2807ZSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2806
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3205Z, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3205Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8586
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3705NPBF, 89 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRL3705NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4804
  
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