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• STC03DE220HV NPN 发射器开关双极性晶体管, 3 A 2200V, 4针 TO-247封装
  
  规格：最大功率耗散 166 W,
• 制造商零件编号：
  STC03DE220HV
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  250-145
  
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• Fairchild Semiconductor FGD3440G2_F085 N沟道 IGBT, 26.9 A, Vce=300 V, 1MHz, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 166 W,
• 制造商零件编号：
  FGD3440G2_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0776
  
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• Fairchild Semiconductor FGP3440G2_F085 N沟道 IGBT, 26.9 A, Vce=400 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 166 W,
• 制造商零件编号：
  FGP3440G2_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8893
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUM40N15-38-E3, 40 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 166 W,
• 制造商零件编号：
  SUM40N15-38-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7486
  
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• Fairchild Semiconductor FGB3440G2_F085 N沟道 IGBT, 26.9 A, Vce=400 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 166 W,
• 制造商零件编号：
  FGB3440G2_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8818
  
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• Fuji Electric 6MBP25VAA-120-50 N通道 智能功率模块, 3 相, 25 A, Vce=1200 V, 20引脚 P 629封装
  
  规格：最大功率耗散 166 W,
• 制造商零件编号：
  6MBP25VAA-120-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  877-7288
  
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